SH8K22
? Measurement circuits
Pulse Width
Data Sheet
V GS
I D
R L
V DS
V GS
50%
10%
90%
50%
D.U.T.
V DS
10%
10%
R G
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t r
Fig.10 Switching Time Test Circuit
Fig.11 Switching Time Waveforms
V G
I G (Const.)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.12 Gate Charge Test Circuit
Fig.13 Gate Charge Waveform
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/4
2009.12 - Rev.A
相关PDF资料
SH8K32TB1 MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8
SH8M41TB1 MOSFET N/P-CH 80V SOP8
SH8M70TB1 MOSFET N/P-CH 250V SOP8
SI-300CC CONTROLLER FOR VC-04 CAMERA
SI1010DK DEVELOPMENT KIT SI101X
SI1021R-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
SI1022R-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
SI1024X-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6
相关代理商/技术参数
SH8K2TB1 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SH8K3 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET
SH8K32 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch+Nch MOSFET
SH8K32TB 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
SH8K32TB1 功能描述:MOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SH8K3TB1 功能描述:MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SH8K4 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive NchNch MOSFET
SH8K4_09 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive NchNch MOSFET